常凯【】 – 人物百科

常凯简介

常凯（1964年8月— ），半导体物理学家，中国科学院院士。

主要从事半导体物理、凝聚态物理理论研究。

生于安徽潜山市。

1984年毕业于阜阳师范学院物理系，1987年于北京师范大学获硕士学位，1996年于北京师范大学获博士学位。

2019年当选为中国科学院院士。

从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。

在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。

发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。

他系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。

尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍，研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻。

在此基础上，考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。

提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙，发现极性界面处存在极强的局域电场，可以显著的改变其能带结构，后得到实验证实。

这为人工设计半导体物性打开了新的途径，在半导体结构中实现宽光谱光电响应（从红光到太赫兹）；在主流半导体（Ge,InN）中实现拓扑相，突破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统认识。

发现窄能隙半导体非线性Rashba自旋轨道耦合效应，指出Rassba线性模型是常凯模型的一阶近似，而非线性行为是不可避免的，纠正了长期广泛使用的Rashba模型随动量增加而出现的严重偏差。

预言窄能隙体系是观测自旋霍尔效应的最佳体系，并提出电场调控磁性的方案, 为自旋调控提供了新机制。

发展多带多体有效质量理论，在窄能隙半导体量子结构中发现激子绝缘体及新奇电子态的存在，得到实验验证。